| 专利名称 | 一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法 | 专利类型 | 发明公布 |
| 申请号 | 2018112986912 | 申请日 | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号 | CN111146336A | 公开（公告）日 | 2020-05-12 |
| 分类号 | 8(2006.01)I | 发明人 | 胡冬冬;王珏斌;蒋中原;刘自明;车东晨;崔虎山;陈璐;任慧群;孙宏月;许开东 |
| 申请（专利权）人 | |||
| 摘要 | 本发明公开一种单隔离层磁隧道结刻蚀方法，所使用的刻蚀装置包括样品装载腔室、真空过渡腔室、反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室以及真空传输腔室，在不中断真空的情况下，在反应离子刻蚀腔室、离子束刻蚀腔室、镀膜腔室依照特定的步骤对晶圆进行加工、处理。本发明能够有效改善高密度小器件生产过程中受掩蔽效应的影响。另外，离子束刻蚀腔室和反应离子刻蚀腔室结合使用，大幅度降低了磁性隧道结膜层结构的金属沾污及损伤，极大的提高了器件的性能和可靠性，并且克服了现有的单一刻蚀方法存在的技术问题，提高了生产效率和刻蚀工艺精度。 | ||
| 企业名称 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 法定代表人 | 许开东 |
| 注册资本 | 6855.11万元人民币 | 成立时间 | 2015-09-11 |
| 企业类型 | 有限责任公司（外商投资、非独资） | 登记状态 | 存续 |
| 注册地址 | 邳州经济开发区辽河西路8号 | ||
| 统一社会信用代码 | 913203003364603421 | ||
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