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专利名称	一种碳化硅的制备方法	专利类型	发明公布
申请号	2014100810386	申请日	2014-03-06
公开（公告）号	CN103833035A	公开（公告）日	2014-06-04
分类号	6(2006.01)I	发明人	星野政宏;星野政宏;张乐年
申请（专利权）人
摘要	本发明提供了一种碳化硅的制备方法，属于于半导体制备技术领域。它解决了现有简单露天碳化硅制备设备大量生产纯度较低的碳化硅导致会对环境造成很大的污染和价格低廉的问题。本碳化硅的制备方法，在真空环境或者惰性气体保护下的炉体内，将生产碳化硅的硅原材料在超过1300℃的高温环境中熔解或者蒸发并将熔解或者蒸发的硅原材料与含有碳元素的气体或液体反应生成碳化硅。本发明采用不含金属杂质的含碳气体来代替现有制备方法中的石油焦、树脂、沥青、墨、碳纤维、石炭、木炭等碳素原料，在进行碳化反应时硅原材料为熔化或者蒸发气化的状态以及在空中进行反应，不需要载体，减少了杂质的混入，制备的碳化硅纯度较高。

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